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IC打磨的组成以及功能

文章来源:发布时间:2012/4/21 14:33:37

深圳市华通激光科技有限公司是由一位是长时间从事IC打磨表面处理•●、封装材料研究的物理工程师,另一位是原深圳知名激光公司的打标工程师,他们有着多年的IC打磨和激光打标经验,专业提供高质量加工业务。
    芯片碎裂是硅器件的一种失效模式,约占早期失效总数的1%,而对于使用。⌒酒腎C卡,芯片碎裂则占其失效总数的一半以上。虽然,通过改进封装设计•●、限制器件使用环境可以有效地防止芯片碎裂引起的器件失效,但即使在良好的设计•●、合格的制造工艺以及规范的使用环境下,依然存在着一定的芯片碎裂几率。随着器件可靠性级别和系统复杂程度的不断提高,十分有必要对芯片碎裂失效机理加以进一步的研究。  
  芯片碎裂归根结底是由应力造成的,但是其产生的原因随具体情况而不同:硅片前道工艺中的外延层淀积•●、扩散和离子注入•●、氧化•●、退火•●、淀积形成欧姆接触•●、金属内连•●、钝化层淀积:硅片后道工艺中的机械减薄(研磨•●、抛光)•●、化学减薄(湿法或者干法刻蚀)•●、背面金属层淀积;封装工艺中的划片•●、上芯•●、压焊•●、塑封等都将会产生或影响硅片/芯片的应力。其中,减薄•●、上芯•●、压焊•●、塑封是产生芯片碎裂隐患的主要工序。更为严重的是,一般在工艺过程中观察不到碎裂现象,只有经过热固化或者器件热耗散时的瞬时加热,由芯片和封装材料热膨胀系数存在差异或者使用中受外界应力作用,芯片碎裂才会最终显现。例如:穿过结的裂纹可能导致短路或者漏电,裂纹也可能全部或者部分截断电路。最为致命的是,裂纹引起的这些效应只有当有热或者电流通过时才会显现,而标准的电学测试则根本无法检测到这些失效。  
  根据抽样统计,芯片碎裂引起的IC卡失效约占据失效总数的6 0%。裂纹形状多为“十”字•●、“T”字型,亦有一部分为横贯芯片的单条裂纹,并在中心顶针触碰部位略有弯折,图1为典型芯片碎裂的OM照片。约50%以上的碎裂芯片,其裂纹位于芯片中央附近并垂直于边缘;其余芯片的裂纹则靠近芯片边缘或集中于芯片一角。  
   信息来源:IC打磨

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